Sag depth는 남아있는 전압의 비율이다. 가령, 200V 의 70%란 140V가 Sag발생 시 남아있음을 뜻한다. (60V가 아님)

7.2 순시전압 저하 실험 방법- 반도체 제조장비, 보조시스템과 구성요소 장비는 IEC 61000-4-11(한 상당 16amp나 그 이하)이거나 IEC 61000-4-34 (한 상당 16 amp이상)에 의거 순시전압 저하 실험을 해야 한다. Test Level은 (Table1)은 IEC 6100-4-11과 61000-4-34의 (table1) “Class X" 을 대체한다.

주4. SEMI F47의 주된 목적은, 동시에 각상간의 SAG는 두상 간에 같은 양의 상-N간의 전압을 줄여서 만드는 것을 허용한다.

7.3 오너에게 알릴 고지사항

장비를 테스트하는 것은 EUT에 손상을 줄 수 있다. 최초의 테스트에 앞서 미미하더라도 엔지니어는 장비 오너에게 알려야 한다.

7.4 삼상 SAG는 필요하지 않다.

만약 중성선이 있다면, SAG테스트는 상-N간에 몇 차례 적용하고, 각상 간에 몇 차례 적용하면 된다. 총 여섯 상의 상-N간 상-상간의 동시 실험은 필요하지 않다.

7.5 순시전압 저하 실험의 EUT 선택

7.5.1 셈플테스트 -  본 규정에 맞추기 위한 테스트는 상품들의 장비견본으로 시행해야 한다. 동등한 상품들에 시험하는 것은 필요하지 않다.

7.5.2 복합 모델이나 타입에 테스트 결과를 적용함 - 만약 합당한 공학적인 판단 결과에 의해 복합 모델 기종이 같은 방법으로 SAG에 반응한다면 (화학공정이나 가스공정에서만 차이가 있다면) 장비 제작자는 같은 장비의 모델이나 타입에 실험은 필요하지 않다고 결정할 수 있다.

주5. 반도체 장비 제작자는 인증테스트 추후에 일어 날수 있는 구성장비와 프로그램변화 영향을 고려해야 한다.

7.6 복합 Chamber 시험

만약 반도체 공정장비가 복합 Chamber를 가지고 있다면, 각 Chamber를 독립적으로 테스트 하는 것을 허용할 수 있다. 보통의 시스템과 (본체)의 일부분은 반드시 테스트를 해야 한다. 반도체 공정 장비제작자는 반드시 복합Chamber의 구성과 본체가 순시 저전압시 일어날 수 있는 잠재적인 상호작용을 바탕으로 한 정확한 공학적인 판단에 의거하여 실험해야 한다.

주6. 이 조항의 목적은 다양한 종류의 Chamber 혼합이 배열될 수 있는 장비의 테스트와 인증을 간단히 하기 위함이다.

7.7  테스트 상태 - 본 규약의 목적은 반도체 공장에서 일어나는 순시전압 저하에 반도체 제조장비, 보조시스템과 구성장비들이 내성을  가질 수 있도록 합리적인 노력을 하기 위해서이다. EUT는 반도체 제조자의 정확한 공학적인 판단에 의거하고, 공장 운영 상황을 예측하여 순시 전압 저하 실험을 해야 한다. 공학적인 판단은 아래와 같은 사항을 고려해야 한다.

EUT는 EUT제작자의 결정에 의해서 가장 민감한 공정 상태에서 테스트 되어야 한다. 예를 들어, 로봇작동, 최대전압 공정, 아주 민감한 계측들이다. 만약 순시전압 저하에 의한 EUT의 민감성은 공정 방법에 의해 영향을 받으며, EUT는 SEMI S2에 정의되어 있는 기초공정 방법과 함께 테스트 되어져야 한다.

독립적으로 테스트되는 구성장비와, 보조시스템은 평상 부하상태에서 시험되어야 한다. (예를 들어 DC power supply와 RF 제너레이터는 장비의 예상치 만큼 부하가 걸려야 하며, 칠러와 송풍기는 열 부화가 걸려야 한다.

7.8 Pass/Fail 기준

7.8.1 장비에 대한 Pass/ Fail 기준 - 다른 지시나 요구조건이 없는 상태에서, 반도체 공정장비의 순시전압 저하 내성 실험은 5.3에서 정의내린 바와 같이 차단이나 중단이 없어야 한다.

7.8.2 보조시스템과 구성장비에 대한 Pass/ Fail 기준 - 보조시스템과 구성장비에 대한 순시전압 저하 시험은 다음과 같은 사항과 일치해야 한다.

최고 수위의 동작에서 진행하며

최고 수위의 동작에서 진행하지 않으면, 조작자나 주조정 장치 개입 없이 재동작하며, 최고 수위의 동작에 이르지 못할 때에 어떤 오동작 신호를 장비 주조정 장치에 보내서는 안된다.

최고 수위의 동작에서 진행하지 않으면, 조작자나 주조정 장치 개입 없이 재동작하며, 최고 수위의 동작에 이르지 못할 때에 신호를 장비 주조정 장치에 보낸다.

주7. 보조시스템과 구성장비의 Pass/Fail 기준의 선택에 대한 정보는 R1-6 관련 자료를 보시기 바랍니다.

주8. 이 항목의 목적은 보조시스템과 구성장비가 5.3에 정의된 것처럼, pass/fail 기준을 따른 반도체 제조장비가 통합될 때는 장애를 유발하지 않는다는데 있다.

주9. 7.8.2에 있는 pass/fail 기준은 반도체 제조장비 제조자가 보조시스템, 부품 제조업자에게 SAG 내성 요건에 대한 내용을 명시할 때 지침서로 쓰여 지는 목적이다. 7.8.2는 완전 통합된 반도체 제조 장비를 평가하는데는 쓰여질 수 없다.

7.9 인증 - 본 규격에  있는 요구조건에 따른 인증은 다음에 열거하는 사항이 최소한 포함되어야 한다.

a) 조직에서 인증을 이슈화 함.

b) EUT 제작자, 제작주소, 제작자의 연락정보

c) EUT의 모델번호와 제품번호

d) 시험일자

e) 시험장소

f) 인증에 사용된 조건 예를 들어, 전압범위의 제한, 수정된 요건, 공정의 제한, 장비의 배치, 특별하거나 독특한 설치 요건 등

g) 어떤 인증을 적용하느냐의 모델번호와 제품번호의 범위

h) 보통 전압과 주파수 시험

I) 적용될 수 있는 IEC 61000-4-11과 IEC61000-4-34 의 요구조건을 완벽하게 따른 보고서를 포함한 테스트장비를 사용함. 본보고서는 7.2 주4에 적절하게 용어로 조정 되어질 것임.

j) 이 상술에 대한 참고는 공표일이 포함되어야 한다.

k) 7.7의 시험 조건은, 적용할 수 있다면 로딩과 공정방법 정보를 포함한다.

l) 7.8의 Pass/fail 기준은 상세히 기입되어있다. (Sag 발생 시험중 에는 최상위의 작동에서 한 것이고, 7.8.2와 부합되는 것은 아니다.

m) 만약 Pass/fail 기준이 7.8.2(a)나 7.8.2(b)이면 순시전압 저하 중이나 후에 EUT의 동작을 자세히 서술한다. 

n) 만약 7.5.2(a) (시험결과를 다양한 모델과 타입에 적용)에 적용하면 장비의 적용 가능한 모델번호와 타입을 식별하고 시험 모델이나 타입의 등량성 고지가 포함되어야 한다.

7.10  테스트의 보고 - 본 규격에 있는 요구조건에 따른 테스트 보고는 다음에 열거하는 사항이 최소한 포함되어야 한다.

a) 7.9에 열거된 인증에 필요한 정보가 필요하며

b) 테스트 시행하거나 참여한 엔지니어를 확인 해야 하며

c) Sag전과 후의 자료, 단일 가장 격심한 Sag 전압 (격심한 경우는 Sag 발생도중이나 후에 EUT에 의한 전류의 최대 일그러짐으로 정의 되어있다.) 각상의 전압, 전류 파형이 필요하다.

d) 시험도중 Sag가 적용된 모든 항목들; Sag 시험 도중이나 후에 어떤 Sag가 어떤 상으로 적용되었는지, Sag의 깊이와 시간, EUT의 공정상태, Sag들에 대한 결과 그리고 유용한 해설이나 관찰사항

e) 시험 준비상태, EUT, 환경 사진

f) 권고나 시험으로부터 나온 결론

관 련 정 보. 1

본 내역에 적용되는 유용한 정보

알림: 이와 관련된 정보는 SEMI F47 공식문서의 일부분이 아니며 공식적이 세부사항을 수정하거나 대신하지 않는다. 소재의 적합성을 결정하는 것은 오로지 사용자의 책임이다.

R1-1 전형적인 파형곡선

R1-1.1 전형적인 Sag 전압 테스트결과 - 그림R1-1의 그래프는 Sag 제너레이터로부터 전달된 전형적인 전압, EUT에서 나오는 전류와 출력 전압이다-(이와 같은 경우, 조절되지 않은 DC Power supply). Sag의 마지막 부분에서 EUT에 의한 전류 급변과 일그러짐의 큰 증가를 기록한다. - 이 전류 펄스는 정지의 주원인이며, Sag의 마지막 단계에서 퓨즈나 서킷 브레이커를 작동시키는 원인이 된다.

[그림R1-1]

R1-2 몇 가지 일반적인 실수

R1-2.1 일반적이 오류 -첫 5년간 SEMI F47 설명을 경험상으로 볼 때, 일반적인 오류가 Sag 내성 시험중에 발생하였다.

• 구성 장비의 변화를 고려하지 않은 실패 - 예를 들어, 전형적인 전해 capacitors 는 -10%/+50% 의 내성을 지니고 있다. 만약 특유의 EUT가 +40%를 가지고 있다면 요구조건에 부응하지만, 같은 디자인으로 만든 다른 생산 장비는 실패할 것이다.
• Sag 제너레이터로 사용할 수 있는 충분한 전류를 사용하지 않은 실패 - Sag 제너레이터는 반드시 EUT에 일정한 비율의 전류를 전류를 흘려줄 수 있어야 한다. 한편, 휴즈나 서킷 브레이커가 동작하지 않으므로 비정상 통과가 결과로 나타날 수 있다. IEC 61000-4-34 의 첨부A를 참고
• SEMI F47에 잘 적용된 구성장비로 구성된 시스템이 자동으로 적응할 것이라는 착각 - SEMI F47에 잘 적용된 구성 부품이 도움이 된다고 할지라도, 시스템의 상호작용이 일어날 가능성이 여전히 있다. (퓨즈, 서킷 브레이커, 소프트웨어, 알람) 전체 시스템을 테스트 해야 한다.
• 어떻게 Sag가 적용될 지에 대한 오해 - 한 쌍의 전력선에 각각의 Voltage Sag가 적용되고, EUT는 정상 전압으로 복귀하는 조건을 받게 된다. 정상 전압으로 복귀하기 전까지는 연속해서 Voltage Sag 를 발생시키지 말아야 한다. 삼상 시스템의 경우는 한번에 한 쌍의 선에 Sag를 발생시킨다.

   
[그림 R1-2] 잘못된 Voltage Sag 파형
 

주. EUT는 반드시 Sag발생 도중에 정상 전압으로 복귀할 시간을 주어야 한다.

R1-3 장비는 실제 세계 모든 Sag에는 면역되지(내성을 가지지) 않는다.

R1-3.1 Voltage Sag에 대한 면역력(내성)의 증대는 엔지니어의 노력, 에너지 저장과 다은 비용의 상승을 요구한다. 본 상술과 부합하여, Fabs 안에서 각 국의 Sag에 대한 반도체 제조장비의 전부가 아닌 최대한의 면역력(내성)을 키우기 위한 조화(경제성)를 맞추고 있다.

R1-3.2 반도체 Fabs에 각국의 Sag는 종종 깊거나 길 (혹은 깊고 길) 수 있다.
본 명세 사항의 Sag 면역성 요구 조건에 부합하는 장비는 각국의 실제 깊고 긴 Sag에 대한 면역성은 필요하지 않을 것이다.

R1-3.1 또한, 본 명세 사항의 요구에 따르는 Sag는 동시에 한상-N간 혹은 한 쌍의 상에서 일어난다.
이는 보편적인 타입의 각 국의 실제 Sag이다. 그러나 반도체 Fabs 에서의 각국의 실제 Sag는 85% 미만으로 종종 삼상의 전압이 떨어지거나, 삼상-N상의 전압이 줄어들기도 한다. 본 명세 사항의 요구에 따르는 Sag면역성은 위와 같은 삼상 Sag에 대한 면역성이 필요하지 않을 것이다.

R1-3.4 위와 같은 깊고 긴, 삼상 Sag를 언급하기 위해서는 공정 손실이나 발생 빈도, 장비 사용자가 원하는 Fabs 수준에 맞는 UPS나 다른 비슷한 방법을 토대로 한 경제성을 증명할 수 있어야 한다.

R1-4 권장하는 순시 전압 저하에 대한 면역성

R1-4.1 장비, 보조시스템, 구성부분에는 필요로 하지 않으나 아래와 같이 [table R1-1]이 권장된다. [table R1-1]은 반드시 [Table 1]과 같은 방법으로 풀이되어야 한다.